MOSFET Infineon IRF9393TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,2 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

32,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Ancho

4mm

Longitud

5mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

25 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

Tensión de diodo directa

1.2V