MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF9393TRPBF, VDSS -30 V, ID -9.2 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 257-9338
- Nº ref. fabric.:
- IRF9393TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,389 € | 3,89 € |
| 100 - 240 | 0,37 € | 3,70 € |
| 250 - 490 | 0,354 € | 3,54 € |
| 500 - 990 | 0,234 € | 2,34 € |
| 1000 + | 0,176 € | 1,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-9338
- Nº ref. fabric.:
- IRF9393TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -9.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32.5mΩ | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -9.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32.5mΩ | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de canal p de -30 V en un encapsulado SO 8. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz