MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R200D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 9.2 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-877
- Nº ref. fabric.:
- IGLR65R200D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
12,78 €
(exc. IVA)
15,465 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,556 € | 12,78 € |
| 50 - 95 | 2,424 € | 12,12 € |
| 100 - 495 | 2,252 € | 11,26 € |
| 500 - 995 | 2,072 € | 10,36 € |
| 1000 + | 1,992 € | 9,96 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-877
- Nº ref. fabric.:
- IGLR65R200D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGLR65 | |
| Encapsulado | PG-TSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.24Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.26nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGLR65 | ||
Encapsulado PG-TSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.24Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.26nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia GaN de Infineon permite aumentar la eficiencia en operaciones de alta frecuencia. Como parte de la familia CoolGaN 650 V G5, cumple los más altos estándares de calidad, lo que permite diseños altamente fiables con una eficiencia superior. Alojado en un encapsulado ThinPAK refrigerado por la parte inferior, es idóneo para aplicaciones de consumo con factores de forma delgados.
Transistor de potencia de modo electrónico de 650 V
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta, baja carga de salida
Mayor robustez de conmutación
RDS(on) dinámica baja
Alta robustez ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Encapsulado refrigerado por la parte inferior
Cualificación JEDEC (JESD47, JESD22)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon VDSS 120 V Mejora de 8 pines, 1
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines