Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines

Código RS:: 351-876
Nº ref. fabric.:: IGLR65R140D2XUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

16,81 €

(exc. IVA)

20,34 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 4995 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	3,362 €	16,81 €
50 - 95	3,194 €	15,97 €
100 +	2,958 €	14,79 €

*precio indicativo

Código RS:: 351-876
Nº ref. fabric.:: IGLR65R140D2XUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	13A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	PG-TSON-8
	Serie	IGLR65
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.17Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	47W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	25 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	JEDEC for Industrial Applications
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 13A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado PG-TSON-8
	Serie IGLR65
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.17Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 47W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications
	Estándar de automoción No

Datasheet - IGLR65R140D2XUMA1

COO (País de Origen):: MY

Este transistor de potencia GaN de Infineon permite aumentar la eficiencia en operaciones de alta frecuencia. Como parte de la familia CoolGaN 650 V G5, cumple los más altos estándares de calidad, lo que permite diseños altamente fiables con una eficiencia superior. Alojado en un encapsulado ThinPAK refrigerado por la parte inferior, es idóneo para aplicaciones industriales y de consumo con factores de forma delgados.

Transistor de potencia de modo electrónico de 650 V

Conmutación ultrarrápida

Sin carga de recuperación inversa

Capacidad de conducción inversa

Baja carga de puerta, baja carga de salida

Mayor robustez de conmutación

RDS(on) dinámica baja

Alta robustez ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM

Encapsulado refrigerado por la parte inferior

Cualificación JEDEC (JESD47, JESD22)

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Enlaces relacionados