MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGLR65R140D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-876
- Nº ref. fabric.:
- IGLR65R140D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | 3,194 € | 15,97 € |
| 100 + | 2,958 € | 14,79 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-876
- Nº ref. fabric.:
- IGLR65R140D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IGLR65 | |
| Encapsulado | PG-TSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.17Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for Industrial Applications | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IGLR65 | ||
Encapsulado PG-TSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.17Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for Industrial Applications | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia GaN de Infineon permite aumentar la eficiencia en operaciones de alta frecuencia. Como parte de la familia CoolGaN 650 V G5, cumple los más altos estándares de calidad, lo que permite diseños altamente fiables con una eficiencia superior. Alojado en un encapsulado ThinPAK refrigerado por la parte inferior, es idóneo para aplicaciones industriales y de consumo con factores de forma delgados.
Transistor de potencia de modo electrónico de 650 V
Conmutación ultrarrápida
Sin carga de recuperación inversa
Capacidad de conducción inversa
Baja carga de puerta, baja carga de salida
Mayor robustez de conmutación
RDS(on) dinámica baja
Alta robustez ESD: 2 kV HBM - 1 kV CDM
Encapsulado refrigerado por la parte inferior
Cualificación JEDEC (JESD47, JESD22)
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