MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Infineon IGL65R055D2XUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 690-442
- Nº ref. fabric.:
- IGL65R055D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
La imagen representada puede no ser la del producto
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
10,07 €
(exc. IVA)
12,184 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2976 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,035 € | 10,07 € |
| 20 - 98 | 4,08 € | 8,16 € |
| 100 - 198 | 3,12 € | 6,24 € |
| 200 + | 2,50 € | 5,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 690-442
- Nº ref. fabric.:
- IGL65R055D2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Legislación y Conformidad
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TSON-8 | |
| Serie | CoolGaN G5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.35mm | |
| Certificaciones y estándares | ISO 128-30, RoHS | |
| Anchura | 10.1 mm | |
| Longitud | 15.20mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TSON-8 | ||
Serie CoolGaN G5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.35mm | ||
Certificaciones y estándares ISO 128-30, RoHS | ||
Anchura 10.1 mm | ||
Longitud 15.20mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- AT
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, PG-TSON-6-2 de 6 pines
- MOSFET Infineon VDSS 120 V Mejora de 8 pines, 1
