MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -9.2 A, SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
257-9337
Nº ref. fabric.:
IRF9393TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

-9.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

32.5mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de canal p de -30 V en un encapsulado SO 8. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Enlaces relacionados