MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -9.2 A, SO-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
257-9330
Nº ref. fabric.:
IRF9358TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

-9.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-30V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23.8mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal P doble de -30 V en un encapsulado SO 8.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Optimizado para tensión de accionamiento de puerta de 4,5 V (llamado nivel lógico)

Capaz de accionarse a una tensión de accionamiento de puerta de 2,5 V (llamado nivel super lógico)

Reducción de la complejidad del diseño en configuración de lado alto

Interfaz más sencilla con el microcontrolador

Enlaces relacionados