MOSFET onsemi FDS8880, VDSS 30 V, ID 11,6 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:
166-2625
Nº ref. fabric.:
FDS8880
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11,6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Serie

PowerTrench

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

5mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

23 nC a 10 V

Ancho

4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.5mm

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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