MOSFET onsemi FDZ661PZ, VDSS 20 V, ID 2,6 A, WLCSP de 4 pines, config. Simple

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Código RS:
145-5598
Nº ref. fabric.:
FDZ661PZ
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2,6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 V

Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

WLCSP

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

315 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

1,3 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +8 V

Ancho

0.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

0.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,3 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Altura

0.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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