MOSFET onsemi FCP190N60_GF102, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
145-4656
Nº ref. fabric.:
FCP190N60_GF102
Fabricante:
onsemi
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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

20 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

SuperFET II

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

199 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

208 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.672mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

10.36mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

57 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.215mm

COO (País de Origen):
KR

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