MOSFET onsemi FQP8P10, VDSS 100 V, ID 5,7 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
166-2169
Nº ref. fabric.:
FQP8P10
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

QFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

530 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

65 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

4.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12 nC a 10 V

Longitud

10.67mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.3mm

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