MOSFET MagnaChip MMF60R750PTH, VDSS 600 V, ID 5,7 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 871-5040
- Nº ref. fabric.:
- MMF60R750PTH
- Fabricante:
- MagnaChip
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 871-5040
- Nº ref. fabric.:
- MMF60R750PTH
- Fabricante:
- MagnaChip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | MagnaChip | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,7 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220F | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 750 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 27,1 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 4.93mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 10.71mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 14 nC a 10 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tensión de diodo directa | 1.4V | |
| Altura | 16.13mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca MagnaChip | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 5,7 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-220F | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 750 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Disipación de Potencia Máxima 27,1 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 4.93mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 10.71mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 14 nC a 10 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tensión de diodo directa 1.4V | ||
Altura 16.13mm | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Súper empalme MOSFET (SJ)
Estos MOSFET utilizan tecnología de súper empalme MagnaChip para proporcionar baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta. Son sumamente eficientes gracias al uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada.
EMI bajo
Baja pérdida de potencia mediante conmutación de alta velocidad y baja resistencia en funcionamiento
Baja pérdida de potencia mediante conmutación de alta velocidad y baja resistencia en funcionamiento
Transistores MOSFET, MagnaChip
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