Nº ref. fabric.

MOSFET onsemi FCPF650N80Z, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 864-7929
Nº ref. fabric.:: FCPF650N80Z
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FCPF650N80Z, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple

Disponibilidad de stock no accesible

Código RS:: 864-7929
Nº ref. fabric.:: FCPF650N80Z
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	8 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
	Tipo de Encapsulado	TO-220F
	Serie	SuperFET II
	Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	530 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
	Disipación de Potencia Máxima	30,5 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
	Ancho	4.9mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	27 nC a 10 V
	Longitud	10.36mm
	Material del transistor	Si
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Número de Elementos por Chip	1
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	16.07mm

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 8 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 800 V
	Tipo de Encapsulado TO-220F
	Serie SuperFET II
	Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 530 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V
	Disipación de Potencia Máxima 30,5 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
	Ancho 4.9mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 27 nC a 10 V
	Longitud 10.36mm
	Material del transistor Si
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Número de Elementos por Chip 1
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 16.07mm

MOSFET onsemi FCPF650N80Z, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple

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