MOSFET onsemi FQPF6N80C, VDSS 800 V, ID 5.5 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Serie

QFET

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

51000 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Longitud

10.16mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC a 10 V

Altura

9.19mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C