MOSFET onsemi FCPF600N60Z, VDSS 600 V, ID 7,4 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
145-4352
Nº ref. fabric.:
FCPF600N60Z
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7,4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Serie

SuperFET II

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

28 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Longitud

10.36mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.9mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.07mm

COO (País de Origen):
MY

MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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