MOSFET onsemi FCPF600N60Z, VDSS 600 V, ID 7,4 A, TO-220F de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 145-4352
- Nº ref. fabric.:
- FCPF600N60Z
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
67,85 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 1,357 € | 67,85 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-4352
- Nº ref. fabric.:
- FCPF600N60Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 7,4 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220F | |
| Serie | SuperFET II | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 600 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 28 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | +30 V | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 20 nC a 10 V | |
| Ancho | 4.9mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 16.07mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 7,4 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V | ||
Tipo de Encapsulado TO-220F | ||
Serie SuperFET II | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 600 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V | ||
Disipación de Potencia Máxima 28 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente +30 V | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 20 nC a 10 V | ||
Ancho 4.9mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 10.36mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 16.07mm | ||
- COO (País de Origen):
- MY
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