MOSFET MagnaChip MDS1525URH, VDSS 30 V, ID 17 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

14,9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

5,1 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Longitud

4.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

3.9mm

Altura

1.5mm

Tensión de diodo directa

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C