MOSFET onsemi FDP12N60NZ, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
145-4555
Nº ref. fabric.:
FDP12N60NZ
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

UniFET

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

650 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

240 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.83mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 nC a 10 V

Longitud

10.67mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.51mm

MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor


El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.

Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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