MOSFET onsemi, N-Canal FDP5N50NZ, VDSS 500 V, ID 4.5 A, TO-220, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 806-3560
- Nº ref. fabric.:
- FDP5N50NZ
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 806-3560
- Nº ref. fabric.:
- FDP5N50NZ
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 500 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 4.5 A | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 16.3 mm | |
| Longitud | 10.67 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 1.5 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V, -25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 78 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | UniFET | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 500 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 4.5 A | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 16.3 mm | ||
Longitud 10.67 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 1.5 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V, -25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 78 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie UniFET | ||
Anchura 4.7 mm | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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