MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FCU900N60Z, VDSS 600 V, ID 4.5 A, IPAK (TO-251), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 864-4992
- Nº ref. fabric.:
- FCU900N60Z
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 75 unidades)*
76,575 €
(exc. IVA)
92,625 €
(inc.IVA)
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 1,021 € | 76,58 € |
| 150 - 225 | 0,766 € | 57,45 € |
| 300 - 450 | 0,743 € | 55,73 € |
| 525 - 975 | 0,65 € | 48,75 € |
| 1050 + | 0,594 € | 44,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 864-4992
- Nº ref. fabric.:
- FCU900N60Z
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SuperFET II | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 6.3mm | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Anchura | 2.5 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SuperFET II | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 6.3mm | ||
Longitud 6.8mm | ||
Anchura 2.5 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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