MOSFET Infineon SPU07N60C3BKMA1, VDSS 650 V, ID 7,3 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
168-8581
Nº ref. fabric.:
SPU07N60C3BKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

CoolMOS™ C3

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

2.41mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Longitud

6.73mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3



Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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