MOSFET onsemi FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9.4 A, IPAK (TO-251), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 671-5335
- Nº ref. fabric.:
- FQU11P06TU
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 671-5335
- Nº ref. fabric.:
- FQU11P06TU
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 185mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 185mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Modo de mejora MOSFET de canal P, ON Semiconductor
La gama de MOSFET de canal P de ON Semiconductors se produce utilizando la tecnología DMOS patentada de alta densidad de celdas de ON Semi. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.
Características y ventajas:
• Interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celda de alta densidad
• Corriente de saturación elevada
• Conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS
Aplicaciones:
• Conmutación de carga
• Convertidor dc/dc
• Protección de la batería
• Control de gestión de potencia
• Control de motor dc
Transistores MOSFET, ON Semi
><
Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
Enlaces relacionados
- MOSFET onsemi FDU7N60NZTU ID 5 IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple
- MOSFET onsemi VDSS 600 V IPAK (TO-251) 1, config. Simple
- MOSFET Infineon IRFU4510PBF ID 56 A , config. Simple
- MOSFET Infineon SPU07N60C3BKMA1 ID 7 IPAK (TO-251) de 3 pines config. Simple
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, IPAK de 3 pines