MOSFET onsemi FQU11P06TU, VDSS 60 V, ID 9.4 A, IPAK (TO-251), Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 671-5335
- Nº ref. fabric.:
- FQU11P06TU
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 671-5335
- Nº ref. fabric.:
- FQU11P06TU
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 9.4 A | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 185 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30 V, +30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 2.5 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 9.4 A | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 185 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30 V, +30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 2.5 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
Features and Benefits:
• Voltage controlled P-Channel small signal switch
• High-Density cell design
• High saturation current
• Superior switching
• Great rugged and reliable performance
• DMOS technology
Applications:
• Load Switching
• DC/DC converter
• Battery protection
• Power management control
• DC motor control
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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