MOSFET Infineon IRFU120NPBF, VDSS 100 V, ID 9,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

El Infineon IRFU120N es el MOSFET de potencia de canal N sencillo de 100V V en un encapsulado I-Pak. La familia de MOSFET de potencia de IR utiliza procesos de silicio probados que ofrecen una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería.

Montaje superficial
Cable recto
Conmutación rápida
Sin cables

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.