MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, IPAK de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 3000 unidades)*

1.725,00 €

(exc. IVA)

2.088,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 27 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
3000 +0,575 €1.725,00 €

*precio indicativo

Código RS:
262-6778
Nº ref. fabric.:
IRFU4510PBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

IPAK

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

143W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2.39mm

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon proporciona ventajas como una puerta mejorada, resistencia de avalancha y dV/dt dinámica, así como capacitancia y SOA de avalancha completamente caracterizados.

Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada

Enlaces relacionados

Recently viewed