MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
262-6778
Nº ref. fabric.:
IRFU4510PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

143W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2.39mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon proporciona ventajas como una puerta mejorada, resistencia de avalancha y dV/dt dinámica, así como capacitancia y SOA de avalancha completamente caracterizados.

Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada

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