MOSFET, N-Canal Infineon IRFU4510PBF, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, IPAK de 3 pines

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Código RS:
262-6779
Nº ref. fabric.:
IRFU4510PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

143W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2.39mm

Anchura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon proporciona ventajas como una puerta mejorada, resistencia de avalancha y dV/dt dinámica, así como capacitancia y SOA de avalancha completamente caracterizados.

Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada

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