MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, IPAK de 3 pines

Código RS:: 541-1607
Nº ref. fabric.:: IRFU024NPBF
Fabricante:: Infineon

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Código RS:: 541-1607
Nº ref. fabric.:: IRFU024NPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	IPAK
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	75mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	45W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.73mm
	Anchura	2.39 mm
	Altura	6.22mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 17A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado IPAK
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 45W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.73mm
	Anchura 2.39 mm
	Altura 6.22mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 17 A, disipación de potencia máxima de 45 W - IRFU024NPBF

Este MOSFET de canal N de alto rendimiento es adecuado para diversas aplicaciones eléctricas. Con especificaciones que incluyen una corriente de drenaje continua máxima de 17 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, este componente es importante para los profesionales de los campos de la automatización y la electrónica. Su capacidad para funcionar en entornos de altas temperaturas contribuye a su fiabilidad para proyectos exigentes.

Características y ventajas

• Disipación de potencia máxima de hasta 45 W para un funcionamiento robusto

• La baja resistencia de drenaje-fuente de 75mΩ mejora la eficiencia energética

• Umbral de puerta máximo de 4 V para mejorar el rendimiento

• La configuración de un solo transistor simplifica la integración del diseño

• Diseñado para montaje pasante en un encapsulado TO-251 para facilitar la instalación

Aplicaciones

• Se utiliza en sistemas de gestión de la energía para mejorar la eficiencia

• Ideal para conmutación de alta frecuencia

• Adecuado para la electrónica del automóvil, lo que garantiza un rendimiento constante

• Empleado en automatización industrial para sistemas de control

• Apropiado para telecomunicaciones para mantener la integridad de la señal

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima soportada?

La corriente de drenaje continua máxima admitida es de 17 A, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones que requieren un manejo de potencia significativo.

¿Cómo afecta la temperatura al rendimiento?

El componente funciona eficazmente en una amplia gama de temperaturas, de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza su estabilidad en condiciones extremas.

¿Puede manejar tensiones de puerta-fuente variables?

Sí, puede admitir tensiones de fuente de puerta de -20 V a +20 V, lo que proporciona flexibilidad en el diseño de circuitos.

¿Qué implicaciones tiene una resistencia de drenaje-fuente baja?

Una baja resistencia de drenaje-fuente de 75mΩ permite reducir la generación de calor y mejorar la eficiencia, algo crucial para las aplicaciones de alto rendimiento.

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.