MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 913-3803
- Nº ref. fabric.:
- IRLU024NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 75 unidades)*
45,375 €
(exc. IVA)
54,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 525 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 1050 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,605 € | 45,38 € |
| 150 - 300 | 0,478 € | 35,85 € |
| 375 - 675 | 0,447 € | 33,53 € |
| 750 - 1800 | 0,417 € | 31,28 € |
| 1875 + | 0,381 € | 28,58 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 913-3803
- Nº ref. fabric.:
- IRLU024NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 17 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 55 V - IRLU024NPBF
Este MOSFET es un dispositivo de potencia de alto rendimiento diseñado específicamente para aplicaciones exigentes dentro de las industrias eléctrica y mecánica. Presenta una configuración en modo de mejora y funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C. Con unas dimensiones compactas de 6,73 mm de longitud, 2,39 mm de anchura y 6,22 mm de altura, puede integrarse fácilmente en diversas configuraciones electrónicas.
Características y ventajas
• Alcanza una corriente de drenaje continua máxima de 17 A
• Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V
• Admite una disipación de potencia máxima de 45 W
• Diseño robusto apto para aplicaciones de alta temperatura
• Compatible con montaje pasante para una instalación versátil
Aplicaciones
• Se utiliza en sistemas de control de motores para una regulación precisa
• Adecuado para fuentes de alimentación conmutadas para una conversión eficiente de la energía
• Eficaz en equipos de automatización industrial para un rendimiento fiable
• Se utiliza en electrónica de consumo para mejorar la gestión de la energía
• Ideal para circuitos de gestión de potencia que requieren alta corriente
¿Qué importancia tiene la resistencia a la conexión en este dispositivo?
La baja Rds(on) de 65mΩ garantiza una pérdida mínima de energía durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia general de los circuitos diseñados con este dispositivo específico. Esta característica también favorece la capacidad para soportar corrientes más altas sin problemas de sobrecalentamiento en aplicaciones electrónicas.
¿Cómo se comporta este MOSFET en entornos de alta temperatura?
Este dispositivo está diseñado para funcionar de forma fiable a temperaturas que oscilan entre -55 °C y +175 °C, lo que lo hace adecuado para entornos que experimentan un importante estrés térmico, como la maquinaria industrial y las aplicaciones de automoción.
¿Puede soportar corrientes de drenaje pulsadas?
Sí, el dispositivo admite corrientes de drenaje pulsadas de hasta 72 A, lo que proporciona flexibilidad en diversas aplicaciones de conmutación dinámica en las que son necesarias ráfagas cortas de alta corriente.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines