MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9030
Nº ref. fabric.:
IPD14N06S280ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22mm

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

Tiene certificación AEC Q101 para automoción

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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