MOSFET Infineon IRLR3410TRPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-5089
Nº ref. fabric.:: IRLR3410TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR3410TRPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2000)

0,397 €

(exc. IVA)

0,48 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2000 - 2000	0,397 €	794,00 €
4000 +	0,377 €	754,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-5089
Nº ref. fabric.:: IRLR3410TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

IRLR/U3410PbF, HEXFET Power MOSFET

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	155 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	79 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Ancho	6.22mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.39mm