MOSFET Infineon IRLR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 130-1021
Nº ref. fabric.:: IRLR3410TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 11/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,805 €

(exc. IVA)

0,974 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 100	0,805 €	20,125 €
125 - 225	0,765 €	19,125 €
250 - 600	0,733 €	18,325 €
625 - 1225	0,684 €	17,10 €
1250 +	0,644 €	16,10 €

*precio indicativo

Código RS:: 130-1021
Nº ref. fabric.:: IRLR3410TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	150 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	79 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.73mm
Ancho	6.22mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 nC a 5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.39mm
Tensión de diodo directa	1.3V