MOSFET Infineon IRLR024NTRLPBF, VDSS 55 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 830-3332
- Nº ref. fabric.:
- IRLR024NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 07/05/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,636 €
(exc. IVA)
0,77 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 25 - 100 | 0,636 € | 15,90 € |
| 125 - 225 | 0,49 € | 12,25 € |
| 250 - 600 | 0,458 € | 11,45 € |
| 625 - 1225 | 0,426 € | 10,65 € |
| 1250 + | 0,35 € | 8,75 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 830-3332
- Nº ref. fabric.:
- IRLR024NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 17 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 110 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 45 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
| Ancho | 6.22mm |
| Material del transistor | Si |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 15 nC a 5 V |
| Longitud | 6.73mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 2.39mm |
- Código RS:
- 830-3332
- Nº ref. fabric.:
- IRLR024NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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