MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252
- Código RS:
- 257-5540
- Nº ref. fabric.:
- IRFR024NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,29 € | 580,00 € |
| 4000 - 4000 | 0,276 € | 552,00 € |
| 6000 + | 0,264 € | 528,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5540
- Nº ref. fabric.:
- IRFR024NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.075Ω | |
| Certificaciones y estándares | Lead-Free | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.075Ω | ||
Certificaciones y estándares Lead-Free | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon IR MOSFET de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con tamaños estándar del sector para facilitar el diseño.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector