MOSFET Infineon IRFU4510PBF, VDSS 100 V, ID 56 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

56 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13,9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

143 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

2.39mm

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

54 nC a 10 V

Longitud

6.73mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

6.22mm