MOSFET Infineon IRFU4510PBF, VDSS 100 V, ID 56 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
784-8979
Nº ref. fabric.:
IRFU4510PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

56 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13,9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

143 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

54 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

2.39mm

Altura

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
MX

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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