MOSFET onsemi FDU7N60NZTU, VDSS 600 V, ID 5,5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Serie

UniFET

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,25 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

90 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Longitud

6.8mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

2.5mm

Altura

7.57mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C