MOSFET, N-Canal onsemi RFD14N05L, VDSS 50 V, ID 14 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- Código RS:
- 325-7580
- Nº ref. fabric.:
- RFD14N05L
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 325-7580
- Nº ref. fabric.:
- RFD14N05L
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10V, +10V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Anchura | 2.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10V, +10V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.8mm | ||
Anchura 2.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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