MOSFET, Tipo N-Canal onsemi RFD14N05L, VDSS 50 V, ID 14 A, Mejora, IPAK (TO-251) de 3 pines
- Código RS:
- 325-7580
- Nº ref. fabric.:
- RFD14N05L
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 325-7580
- Nº ref. fabric.:
- RFD14N05L
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Encapsulado | IPAK (TO-251) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±10 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Anchura | 2.5 mm | |
| Altura | 6.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Encapsulado IPAK (TO-251) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.8mm | ||
Anchura 2.5 mm | ||
Altura 6.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Transistores MOSFET, ON Semi
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