MOSFET onsemi FDP032N08B_F102, VDSS 80 V, ID 211 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
145-5484
Nº ref. fabric.:
FDP032N08B_F102
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

211 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Serie

PowerTrench

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

263 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4.672mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

111 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

15.215mm

COO (País de Origen):
US

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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