MOSFET onsemi FDP032N08B_F102, VDSS 80 V, ID 211 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 145-5484
- Nº ref. fabric.:
- FDP032N08B_F102
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
122,35 €
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148,05 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,447 € | 122,35 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 145-5484
- Nº ref. fabric.:
- FDP032N08B_F102
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 211 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 80 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3,3 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.5V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 263 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 111 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Ancho | 4.672mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 15.215mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 211 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 80 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 3,3 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2.5V | ||
Disipación de Potencia Máxima 263 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 111 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Ancho 4.672mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 15.215mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origen):
- US
MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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