MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDP083N15A-F102, VDSS 150 V, ID 117 A, TO-220 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 186-7931
- Nº ref. fabric.:
- FDP083N15A-F102
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 186-7931
- Nº ref. fabric.:
- FDP083N15A-F102
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 117A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | FDP083N15A | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.3mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 294W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V dc | |
| Tensión directa Vf | 1.25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 8.78mm | |
| Anchura | 4.67 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 117A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie FDP083N15A | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.3mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 294W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V dc | ||
Tensión directa Vf 1.25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 8.78mm | ||
Anchura 4.67 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
RDS(on) = 6.85mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A
Fast Switching Speed
Low Gate Charge, QG = 64.5nC ( Typ.)
High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
High Power and Current Handling Capability
Applications
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
Uninterruptible Power Supply
Uninterruptible Power Supply
Other Data Processing
Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
Battery Protection Circuit
Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
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