MOSFET Infineon IRF7406TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 915-4951
Nº ref. fabric.:: IRF7406TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7406TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 08/04/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,801 €

(exc. IVA)

0,969 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 20	0,801 €	16,02 €
40 - 80	0,761 €	15,22 €
100 - 180	0,729 €	14,58 €
200 - 480	0,697 €	13,94 €
500 +	0,649 €	12,98 €

*precio indicativo

Código RS:: 915-4951
Nº ref. fabric.:: IRF7406TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	70 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	59 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Altura	1.5mm
Tensión de diodo directa	1V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C