MOSFET Infineon, Tipo P-Canal IRF7406TRPBF, VDSS 30 V, ID 5.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 915-4951
- Nº ref. fabric.:
- IRF7406TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 915-4951
- Nº ref. fabric.:
- IRF7406TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 30 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 5.8 A | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión directa (Vf) | 1 V | |
| Altura | 1.5 mm | |
| Longitud | 5 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 70 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V, -20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 2.5 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | HEXFET | |
| Anchura | 4 mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 5.8 A | ||
Encapsulado SOIC | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión directa (Vf) 1 V | ||
Altura 1.5 mm | ||
Longitud 5 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 70 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V, -20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 2.5 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie HEXFET | ||
Anchura 4 mm | ||
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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