MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 2.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
831-2869
Nº ref. fabric.:
IRF7104TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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