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MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 826-8901
Nº ref. fabric.:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

0,928 €

(exc. IVA)

1,123 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	0,928 €	9,28 €
100 - 240	0,724 €	7,24 €
250 - 490	0,677 €	6,77 €
500 - 990	0,631 €	6,31 €
1000 +	0,585 €	5,85 €

*precio indicativo

Código RS:: 826-8901
Nº ref. fabric.:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	170 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	26 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	4mm
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

Problemas con el pago con tarjeta

MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon

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