MOSFET Infineon, Tipo P-Canal IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 826-8901
Nº ref. fabric.:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo P-Canal IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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250 - 490	0,697 €	6,97 €
500 - 990	0,65 €	6,50 €
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*precio indicativo

Código RS:: 826-8901
Nº ref. fabric.:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	170mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	26nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7342TRPBF

Este MOSFET de potencia está destinado a la gestión eficiente de la energía en diversos dispositivos electrónicos. Con una configuración de canal P, es adecuado para operaciones de conmutación y amplificación de alto rendimiento. Sus sólidas especificaciones satisfacen los requisitos esenciales de ingenieros y diseñadores de los sectores de la automatización y la electricidad.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A

• Tolerancia de tensión de la fuente de drenaje de hasta 55 V

• El diseño de montaje en superficie permite instalaciones sencillas

• La baja resistencia máxima de drenaje-fuente mejora la eficiencia energética

• Tensión umbral de puerta de 1 V para una conmutación fiable

Aplicaciones

• Circuitos de gestión de potencia para un mejor aprovechamiento de la energía

• Equipos de automatización que requieren una gran capacidad de conmutación

• Adecuado para sistemas de control de motores

• Utilizados en convertidores de potencia para electrónica

• Común en los sistemas de gestión de baterías

¿Cuáles son los límites térmicos de funcionamiento?

Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Cómo mejora este componente la eficiencia del circuito?

El bajo valor de Rds(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando así la eficiencia global del circuito.

¿Puede este MOSFET manejar corrientes pulsadas?

Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 27 A, adecuadas para condiciones transitorias.

¿En qué tipo de envase está disponible?

Está disponible en un encapsulado de montaje superficial SO-8, lo que optimiza la flexibilidad de diseño y los procesos de fabricación.

¿Existe un voltaje de puerta específico para un rendimiento óptimo?

Lo ideal es que la tensión entre la puerta y la fuente se mantenga en ±20 V para obtener un rendimiento y una longevidad óptimos del dispositivo.