MOSFET Infineon, Tipo P-Canal IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 826-8901
- Nº ref. fabric.:
- IRF7342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 826-8901
- Nº ref. fabric.:
- IRF7342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7342TRPBF
Este MOSFET de potencia está destinado a la gestión eficiente de la energía en diversos dispositivos electrónicos. Con una configuración de canal P, es adecuado para operaciones de conmutación y amplificación de alto rendimiento. Sus sólidas especificaciones satisfacen los requisitos esenciales de ingenieros y diseñadores de los sectores de la automatización y la electricidad.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A
• Tolerancia de tensión de la fuente de drenaje de hasta 55 V
• El diseño de montaje en superficie permite instalaciones sencillas
• La baja resistencia máxima de drenaje-fuente mejora la eficiencia energética
• Tensión umbral de puerta de 1 V para una conmutación fiable
Aplicaciones
• Circuitos de gestión de potencia para un mejor aprovechamiento de la energía
• Equipos de automatización que requieren una gran capacidad de conmutación
• Adecuado para sistemas de control de motores
• Utilizados en convertidores de potencia para electrónica
• Común en los sistemas de gestión de baterías
¿Cuáles son los límites térmicos de funcionamiento?
Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.
¿Cómo mejora este componente la eficiencia del circuito?
El bajo valor de Rds(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando así la eficiencia global del circuito.
¿Puede este MOSFET manejar corrientes pulsadas?
Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 27 A, adecuadas para condiciones transitorias.
¿En qué tipo de envase está disponible?
Está disponible en un encapsulado de montaje superficial SO-8, lo que optimiza la flexibilidad de diseño y los procesos de fabricación.
¿Existe un voltaje de puerta específico para un rendimiento óptimo?
Lo ideal es que la tensión entre la puerta y la fuente se mantenga en ±20 V para obtener un rendimiento y una longevidad óptimos del dispositivo.
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