MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS -55 V, ID -3.4 A, SOIC de 8 pines, 2

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Código RS:
243-9284
Nº ref. fabric.:
AUIRF7342QTR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-55V

Encapsulado

SOIC

Número de pines

8

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Tensión directa Vf

-55V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N AUIRF7342QTR de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este diseño celular de MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología planar avanzada

Baja resistencia de conexión

Accionamiento de puerta de nivel lógico

MOSFET de canal P doble

Valor nominal dv/dt dinámico

Temperatura de funcionamiento de 150 °C

Conmutación rápida

Valor nominal de avalancha total

Sin plomo, conformidad con RoHS

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