MOSFET Infineon AUIRF7343QTR, VDSS 55 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Estos MOSFET de potencia HEXFET® de Infineon AUIRF7343QTR diseñados específicamente para aplicaciones de automoción en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET con calificación de automoción son una temperatura de funcionamiento de unión de 150 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.

Tecnología planar avanzada
Resistencia de conexión ultrabaja
Conductor de puerta de nivel lógico
MOSFET de canal N y P doble
Montaje en superficie
Disponible en cinta y carrete
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Sin plomo, conformidad con RoHS