MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal AUIRF7343QTR, VDSS -55 V, ID 4.7 A, SOIC de 8 pines, 2
- Código RS:
- 243-9288
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7343QTR
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 243-9288
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7343QTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.11mΩ | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.11mΩ | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Estos MOSFET de potencia HEXFET® de Infineon AUIRF7343QTR diseñados específicamente para aplicaciones de automoción en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET con calificación de automoción son una temperatura de funcionamiento de unión de 150 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.
Tecnología planar avanzada
Resistencia de conexión ultrabaja
Conductor de puerta de nivel lógico
MOSFET de canal N y P doble
Montaje en superficie
Disponible en cinta y carrete
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Sin plomo, conformidad con RoHS
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