MOSFET DiodesZetex, Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P-Canal ZXMC4559DN8TA, VDSS 60 V, ID 4.7 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 122-3286
- Nº ref. fabric.:
- ZXMC4559DN8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 122-3286
- Nº ref. fabric.:
- ZXMC4559DN8TA
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 4.95mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.95mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N, Tipo N, Tipo P, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 4.95mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.95mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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