MOSFET Infineon AUIRF7343QTR, VDSS 55 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 243-9287
Nº ref. fabric.:: AUIRF7343QTR
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon AUIRF7343QTR, VDSS 55 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)

1,294 €

(exc. IVA)

1,566 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
4000 +	1,294 €	5.176,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 243-9287
Nº ref. fabric.:: AUIRF7343QTR
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - AUIRF7343QTR

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Estos MOSFET de potencia HEXFET® de Infineon AUIRF7343QTR diseñados específicamente para aplicaciones de automoción en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET con calificación de automoción son una temperatura de funcionamiento de unión de 150 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.

Tecnología planar avanzada
Resistencia de conexión ultrabaja
Conductor de puerta de nivel lógico
MOSFET de canal N y P doble
Montaje en superficie
Disponible en cinta y carrete
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Sin plomo, conformidad con RoHS

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Número de Elementos por Chip	2

MOSFET Infineon AUIRF7343QTR, VDSS 55 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

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