MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS -55 V, ID 4.7 A, SOIC de 8 pines, 2

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Código RS:
243-9287
Nº ref. fabric.:
AUIRF7343QTR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-55V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.11mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

Estos MOSFET de potencia HEXFET® de Infineon AUIRF7343QTR diseñados específicamente para aplicaciones de automoción en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Otras características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET con calificación de automoción son una temperatura de funcionamiento de unión de 150 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado.

Tecnología planar avanzada

Resistencia de conexión ultrabaja

Conductor de puerta de nivel lógico

MOSFET de canal N y P doble

Montaje en superficie

Disponible en cinta y carrete

Temperatura de funcionamiento de 150 °C

Sin plomo, conformidad con RoHS

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