MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble

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Código RS:
170-2265
Nº ref. fabric.:
IRF7343TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SO-8

Serie

IRF7343PbF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

960mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No cumple

El Infineon IRF7343 es el MOSFET de potencia HEXFET de canal N y P doble de 55V A en un encapsulado SO-8.

Compatible con RoHS

Baja RDS(on)

Valor nominal dv/dt dinámico

Conmutación rápida

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