MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble

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Código RS:
170-2265
Nº ref. fabric.:
IRF7343TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SO-8

Serie

IRF7343PbF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Tensión directa Vf

0.96V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No cumple

El Infineon IRF7343 es el MOSFET de potencia HEXFET de canal N y P doble de 55V A en un encapsulado SO-8.

Compatible con RoHS

Baja RDS(on)

Valor nominal dv/dt dinámico

Conmutación rápida

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