Nº ref. fabric.

MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble

Código RS:: 170-2265
Nº ref. fabric.:: IRF7343TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble

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Código RS:: 170-2265
Nº ref. fabric.:: IRF7343TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	IRF7343PbF
	Encapsulado	SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	170mΩ
	Modo de canal	Reducción
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	0.96V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	24nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Número de elementos por chip	1
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie IRF7343PbF
	Encapsulado SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ
	Modo de canal Reducción
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 0.96V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Número de elementos por chip 1
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: No cumple

El Infineon IRF7343 es el MOSFET de potencia HEXFET de canal N y P doble de 55V A en un encapsulado SO-8.

Compatible con RoHS

Baja RDS(on)

Valor nominal dv/dt dinámico

Conmutación rápida

MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 4.7 A, SO-8, Reducción de 8 pines, 1, config. Doble

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