MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble canal N

Código RS:: 217-2601
Nº ref. fabric.:: IRF7341GTRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble canal N

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Código RS:: 217-2601
Nº ref. fabric.:: IRF7341GTRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SO-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	65mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	29nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Configuración de transistor	Mosfet de doble canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SO-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Configuración de transistor Mosfet de doble canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRF7341GTRPBF

Los MOSFET Infineon HEXFET ® Power en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas ventajas se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones. El valor nominal de 175 °C para el encapsulado SO-8 proporciona un rendimiento térmico mejorado con un área de funcionamiento segura aumentada y capacidad de matriz MOSFET doble lo convierten en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Este SO-8 de montaje en superficie doble puede reducir drásticamente el espacio de la placa y también está disponible en cinta y carrete.

Tecnología de procesos avanzados

MOSFET doble de canal N

Resistencia de encendido ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Sin plomo

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble canal N

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