MOSFET Infineon, Tipo N-Canal AUIRF7341QTR, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 223-8453
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7341QTR
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 223-8453
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7341QTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 500mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 3 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 500mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 3 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon en un encapsulado SO-8 doble utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. El eficiente encapsulado SO-8 proporciona características térmicas mejoradas y capacidad de matriz MOSFET doble que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia.
Tecnología plana Advanced
Valor nominal DV/DT dinámico
Controlador de puerta de nivel lógico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Sin cables
En conformidad con RoHS
Homologado para automoción
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