MOSFET Infineon IRF7341GTRPBF, VDSS 55 V, ID 5,1 A, SO-8 de 8 pines, 2elementos

Los MOSFET Infineon HEXFET ® Power en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas ventajas se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones. El valor nominal de 175 °C para el encapsulado SO-8 proporciona un rendimiento térmico mejorado con un área de funcionamiento segura aumentada y capacidad de matriz MOSFET doble lo convierten en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Este SO-8 de montaje en superficie doble puede reducir drásticamente el espacio de la placa y también está disponible en cinta y carrete.

Tecnología de procesos avanzados
MOSFET doble de canal N
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Sin plomo