MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7341GTRPBF, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble

Código RS:: 217-2603
Nº ref. fabric.:: IRF7341GTRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7341GTRPBF, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 40	1,122 €	11,22 €
50 - 90	1,066 €	10,66 €
100 - 240	1,021 €	10,21 €
250 - 490	0,976 €	9,76 €
500 +	0,908 €	9,08 €

*precio indicativo

Código RS:: 217-2603
Nº ref. fabric.:: IRF7341GTRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	65mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	29nC
	Configuración de transistor	Mosfet de doble canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4 mm
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.1A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado SO-8
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC
	Configuración de transistor Mosfet de doble canal N
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4 mm
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRF7341GTRPBF

Los MOSFET Infineon HEXFET ® Power en un encapsulado SO-8 doble utilizan las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de estos MOSFET de potencia HEXFET son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas ventajas se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de otras aplicaciones. El valor nominal de 175 °C para el encapsulado SO-8 proporciona un rendimiento térmico mejorado con un área de funcionamiento segura aumentada y capacidad de matriz MOSFET doble lo convierten en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Este SO-8 de montaje en superficie doble puede reducir drásticamente el espacio de la placa y también está disponible en cinta y carrete.

Tecnología de procesos avanzados

MOSFET doble de canal N

Resistencia de encendido ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax

Sin plomo

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7341GTRPBF, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Mosfet de doble

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