MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 50 V, ID 3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

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Código RS:
222-4607
Nº ref. fabric.:
AUIRF7103QTR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

130mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.5mm

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce a los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

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