MOSFET Infineon IRF9410TRPBF, VDSS 30 V, ID 7 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 162-3278
Nº ref. fabric.:: IRF9410TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF9410TRPBF, VDSS 30 V, ID 7 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

608,00 €

(exc. IVA)

736,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
4000 +	0,152 €	608,00 €

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Código RS:: 162-3278
Nº ref. fabric.:: IRF9410TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	7 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
	Tipo de Encapsulado	SO-8
	Serie	IRF9410
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	50 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima	1V
	Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	4mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	18 nC a 10 V
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tensión de diodo directa	1V

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 7 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
	Tipo de Encapsulado SO-8
	Serie IRF9410
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 50 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta mínima 1V
	Disipación de Potencia Máxima 2,5 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 4mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 18 nC a 10 V
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tensión de diodo directa 1V

Estado RoHS: No cumple

La quinta generación de HEXFET de International Rectifier utiliza técnicas de procesamiento avanzado para lograr una muy baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el dispositivo robusto por los que se conoce a los dispositivos MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un conductor personalizado para mejorar las características térmicas y capacidad de matriz múltiple, que lo convierten en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Con estas mejoras, se pueden usar varios dispositivos en una aplicación con una reducción drástica del espacio de la placa. El encapsulado está diseñado para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.

Baja RDS(on)
Calidad líder del sector
Valor nominal de dv/dt dinámico
Conmutación rápida
Temperatura de funcionamiento de 175 °C

MOSFET Infineon IRF9410TRPBF, VDSS 30 V, ID 7 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

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