MOSFET Infineon IRF9410TRPBF, VDSS 30 V, ID 7 A, SO-8 de 8 pines, config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

La quinta generación de HEXFET de International Rectifier utiliza técnicas de procesamiento avanzado para lograr una muy baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el dispositivo robusto por los que se conoce a los dispositivos MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El SO-8 se ha modificado con un conductor personalizado para mejorar las características térmicas y capacidad de matriz múltiple, que lo convierten en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Con estas mejoras, se pueden usar varios dispositivos en una aplicación con una reducción drástica del espacio de la placa. El encapsulado está diseñado para técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.

Baja RDS(on)
Calidad líder del sector
Valor nominal de dv/dt dinámico
Conmutación rápida
Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.